Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Описание и характеристики Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Для приобретения Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов от «Техносфера» арт. 4967052 выберите желаемое количество единиц и кликните на красную кнопку "Купить". Далее товар будет перемещён в корзину. После выбора всех выбранных позиций перейдите в корзину в правом верхнем углу страницы и завершите оформление заказа. При оформлении вам будет предложено выбрать способ доставки Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов в Москве и Московской области и оплаты из доступных вариантов.