МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.

Описание и характеристики МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А.

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Для приобретения МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. от «Техносфера» арт. 4964968 выберите желаемое количество единиц и кликните на красную кнопку "Купить". Далее товар будет перемещён в корзину. После выбора всех выбранных позиций перейдите в корзину в правом верхнем углу страницы и завершите оформление заказа. При оформлении вам будет предложено выбрать способ доставки МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. в Москве и Московской области и оплаты из доступных вариантов.